G-33D4型高精密雙面光刻機(jī)

一、設(shè)備概述：

本設(shè)備用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn)，找平機(jī)構(gòu)（三點(diǎn)找平）極為突出，找平力極小，這帶來(lái)諸多顯著效果：一是在基片曝光操作上適用性廣泛，各類(lèi)常規(guī)基片曝光時(shí)，本機(jī)均可穩(wěn)定、沉穩(wěn)應(yīng)對(duì)，保障曝光工作順利。其次，本機(jī)應(yīng)對(duì)特殊基片時(shí)表現(xiàn)顯著，如質(zhì)地易碎的砷化鉀、磷化銦基片，操作時(shí)不會(huì)被損壞就可完成曝光；對(duì)非圓形基片、小型基片這種特殊的、對(duì)精度要求高的基片，本機(jī)也能完成曝光，滿(mǎn)足曝光需求

曝光頭及部件圖

CCD顯微系統(tǒng)|X、Y、Q對(duì)準(zhǔn)工作臺(tái)

二、主要性能指標(biāo)

1、曝光類(lèi)型：雙面對(duì)準(zhǔn)單面曝光；

2、曝光面積：≥110×110mm；

3、曝光強(qiáng)度：≤30mw/cm²，（測(cè)量?jī)x器：光強(qiáng)計(jì)；測(cè)量方法：紫外線(xiàn)照度計(jì)測(cè)量）；

4、曝光照度均勻性：≥97%；紫外光束角：≤3?；（測(cè)量?jī)x器：光強(qiáng)計(jì)；測(cè)量方法：逐點(diǎn)檢測(cè)法）；

5、紫外光源：LED，紫外光中心波長(zhǎng)：365nm-460nm，出廠(chǎng)標(biāo)配365nm，可根據(jù)用戶(hù)要求定制，光源質(zhì)保期：1年；

6、曝光模式：可以正反對(duì)準(zhǔn)，正面套刻曝光；

7、曝光方式：密著曝光，可實(shí)現(xiàn)硬接觸、軟接觸和微分離曝光、底吹曝光；

8、曝光分辨率：≤1μm（所需條件見(jiàn)后面附件1）；

9、對(duì)準(zhǔn)范圍：X、Y±3mm、Q±3°，Q轉(zhuǎn)調(diào)節(jié)精度≤0.05°，對(duì)準(zhǔn)精度：正面≤1μm；反面≤2μm；

10、載物臺(tái)x,y平面移動(dòng)精度≤1μm；

11、對(duì)準(zhǔn)方式：手動(dòng)；

12、接觸－分離漂移：≤1μm；分離量；0～50μm可調(diào)；

13、具有三點(diǎn)自動(dòng)找平功能，找平精度≤3μm；

14、顯微系統(tǒng)：

1) 正面對(duì)準(zhǔn)采用雙視場(chǎng)CCD立式顯微鏡，總放大倍數(shù)觀(guān)察系統(tǒng)放大倍數(shù)為： 1.6×57=91 倍（小倍數(shù)），10×57=570 倍（大倍數(shù)），連續(xù)調(diào)節(jié)，雙物鏡可調(diào)距離40mm～110mm；

2) 反面對(duì)準(zhǔn)采用雙視場(chǎng)CCD臥式顯微鏡。總放大倍數(shù)為57-400倍連續(xù)變焦，顯微鏡調(diào)整范圍: X,Y,Z，通過(guò)千分尺實(shí)現(xiàn)X,Y,Z移動(dòng)；

3) 正反面CCD像素為200萬(wàn)倍；

15、配置掩模版架： 5″×5″（標(biāo)配，可根據(jù)用戶(hù)要求定制）；

16、配置基片載物臺(tái)：φ4″（標(biāo)配，可根據(jù)用戶(hù)要求定制）；

17、配有無(wú)油靜音真空泵；

18、尺寸和重量：

尺寸：機(jī)體1000 mm（長(zhǎng)）×750 mm（寬）×1700mm（高）；

重量：≤200Kg；

19、G-33D4 型光刻機(jī)的組成：

由主機(jī)（含機(jī)體和工作臺(tái)），對(duì)準(zhǔn)用單筒顯微鏡，LED紫外曝光頭組成；

20、附件如下：

a. 主機(jī)附件：（出廠(chǎng)時(shí)安裝到機(jī)器上）

1) 5"□型掩版夾盤(pán)。

用于Φ4"基片的真空夾持承片臺(tái)。

b. 顯微鏡組成：

(1) 單筒顯微鏡二套；

(2) 兩套CCD；

(3) 視頻連接線(xiàn)；

(4) 計(jì)算機(jī)和19"液晶監(jiān)視器。